[发明专利]一种以AlN/C为埋烧粉的高热导率AlN陶瓷及其制备方法在审
| 申请号： | 201810545784.4 | 申请日： | 2018-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN108439993A | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 吕明;李维雄 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/581 | 分类号： | C04B35/581;C04B35/622;C04B35/64 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍;冯振宁 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种以AlN/C为埋烧粉的高热导率AlN陶瓷及其制备方法，该方法以氮化铝为主要埋烧粉原料，加入质量分数为0.1%~0.6%的碳粉。同时，以氮化铝为AlN陶瓷基本原料，采用稀土金属氟化物、稀土金属氧化物、碱土金属氟化物、稀土金属氧化物或它们的复合物为烧结助烧剂，经湿磨混合、干燥、造粒、成型、用埋烧粉埋烧。所得氮化铝陶瓷热导率在150~230W/(m.K),致密度≧99.0%。优点在于，工艺简单，埋烧粉可以对氮化铝陶瓷第二相含量及其存在形式进行调控而又不引入新的杂质，促进致密化烧结，确保制备的氮化铝陶瓷在微观上具有干净的晶界，进而实现高热导率氮化铝陶瓷无压烧结的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化铝陶瓷 制备 高热导率 稀土金属氧化物 陶瓷 氮化铝 碱土金属氟化物 稀土金属氟化物 致密化烧结 基本原料 湿磨混合 无压烧结 质量分数 烧结 第二相 复合物 热导率 助烧剂 晶界 碳粉 造粒 成型 微观 引入 调控 | ||
【主权项】：
1.一种以AlN/C为埋烧粉的高热导率AlN陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将AlN、烧结助剂混合，球磨均匀，得混合物；（2）将步骤（1）所得混合物烘干，然后造粒；（3）将步骤（2）所得颗粒干压成型后进行冷等静压处理，得氮化铝样品；（4）用埋烧粉对步骤（3）所得氮化铝样品进行埋烧，得到AlN陶瓷；所述埋烧粉包括AlN和C。
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