[发明专利]LTPS TFT基板的制作方法及LTPS TFT基板有效
| 申请号： | 201810546898.0 | 申请日： | 2018-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN108766870B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 程涛 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/84;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/423;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂;程晓 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LTPS TFT基板的制作方法及LTPS TFT基板。本发明的LTPS TFT基板的制作方法，在栅极绝缘层成膜后用含氮的等离子体对栅极绝缘层进行掺氮处理，使栅极绝缘层内的正电荷增加，从而能够使P型TFT阈值电压减小，进而能够改善显示面板闪屏的问题。 | ||
| 搜索关键词： | ltps tft 制作方法 基板 | ||
【主权项】：
1.一种LTPS TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成多晶硅有源层(30)；步骤S2、在所述衬底基板(10)上沉积形成覆盖多晶硅有源层(30)的栅极绝缘层(40)，用含氮的等离子体对所述栅极绝缘层(40)进行掺氮处理；步骤S3、在栅极绝缘层(40)上形成栅极(20)及源漏极(50)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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