[发明专利]一种碲锰镉晶体透射电镜截面样品的制备方法有效

专利信息
申请号: 201810547937.9 申请日: 2018-05-31
公开(公告)号: CN109100381B 公开(公告)日: 2021-02-02
发明(设计)人: 栾丽君;刘宗文;刘宏伟;周翠凤;郑丹 申请(专利权)人: 长安大学
主分类号: G01N23/2202 分类号: G01N23/2202
代理公司: 西安恒泰知识产权代理事务所 61216 代理人: 孙雅静
地址: 710064 陕西省*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种碲锰镉透射电镜截面样品的制备方法,步骤一:第一面初磨,待磨光碲锰镉透射电镜样品依次用9μm金刚石薄膜、3μm金刚石薄膜和1μm金刚石薄膜进行第一面磨光得到初磨样品;步骤二:样品支撑,用砷化镓对步骤一得到的初磨样品的磨光面进行支撑;步骤三:第二面预减薄至出现楔形薄区,依次用9μm的金刚石薄膜、3μm的金刚石薄膜和1μm的金刚石薄膜进行初磨样品的第二面磨光得到预减薄的具有楔形薄区的样品;步骤四:楔形薄区精密减薄,用离子减薄仪对步骤三得到的具有楔形薄区的预减薄样品进行精密减薄。本发明不需要用传统凹坑仪进行凹坑,避免了凹坑过程引入的缺陷。精密减薄过程仅需2~4小时,大大降低了离子束轰击造成的缺陷。三天时间可制备一个或一批碲锰隔透射电镜截面样品,成功率高。
搜索关键词: 一种 碲锰镉 晶体 透射 截面 样品 制备 方法
【主权项】:
1.一种碲锰镉透射电镜截面样品的制备方法,其特征在于,包含以下步骤:步骤一:第一面初磨待磨光碲锰镉透射电镜样品依次用9μm金刚石薄膜、3μm金刚石薄膜和1μm金刚石薄膜进行第一面磨光得到初磨样品;步骤二:样品支撑用砷化镓对步骤一得到的初磨样品的磨光面进行支撑;步骤三:第二面预减薄至出现楔形薄区依次用9μm的金刚石薄膜、3μm的金刚石薄膜和1μm的金刚石薄膜磨进行初磨样品的第二面磨光得到预减薄的具有楔形薄区的样品;步骤四:楔形薄区精密减薄用离子减薄仪对步骤三得到的具有楔形薄区的预减薄样品进行精密减薄。
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