[发明专利]三维存储器的制备方法及沟槽底部刻蚀方法

摘要

一种三维存储器的制备方法，包括：叠层；形成存储串；形成沟槽；去除叠层中的第一绝缘层；在沟槽以及第一绝缘层被去除后留下的空位中共形地形成阻隔层；将导体材料填入空位中，形成导电层；在沟槽中共形地形成间隔层；进行第一刻蚀过程，以去除沟槽底部的阻隔层和间隔层；进行第二刻蚀过程，使得对阻隔层和间隔层的刻蚀速率相同。本发明提供的三维存储器的制备方法，由于具有第二刻蚀过程且在该第二刻蚀过程阻隔层和该氧化硅层的刻蚀速率相同，所以能够较好地抑制沟槽开口处台阶的产生，进而能获得性能良好的共源触点。

主权项

1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上形成由第一绝缘层和第二绝缘层交替堆叠形成的绝缘体叠层；形成垂直贯穿所述绝缘体叠层的存储串；形成垂直贯穿所述绝缘体叠层直至所述衬底的沟槽；去除所述第一绝缘层；在所述沟槽以及所述第一绝缘层被去除后留下的空位中共形地形成阻隔层；将导体材料填入所述空位中，形成导电层；在所述沟槽中共形地形成间隔层；进行第一刻蚀过程，以去除沟槽底部的所述阻隔层和所述间隔层；进行第二刻蚀过程，在所述第二刻蚀过程中，使得对所述阻隔层和所述间隔层的刻蚀速率相同。