[发明专利]一种C/C-Si复合材料表面生长辐射状纳米线及在常温下的制备方法有效
| 申请号： | 201810553797.6 | 申请日： | 2018-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN108585954B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 郭领军;霍彩霞;王昌聪;周磊;李凯娇 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C04B41/89 | 分类号： | C04B41/89 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 王鲜凯 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种C/C‑Si复合材料表面生长辐射状纳米线及在常温下的制备方法，利用包埋法在真空加热炉中在碳/碳复合材料表面制备硅涂层，然后对C/C‑Si复合材料采用浓硫酸与双氧水混合溶液浸润后，将C/C‑Si复合材料表面放入单分散聚苯乙烯微球溶液中，经干燥后在喷金溅射仪中喷金。随后将C/C‑Si复合材料放入由去离子水，丙三醇，双氧水和氢氟酸按不同体积分数组成的混合溶液中刻蚀不同的时间。获得常温下在C/C‑Si复合材料表面辐射状生长的Si纳米线。本发明的纳米线是从C/C‑Si复合材料表面生长出来的辐射状纳米线，可以提高内涂层与外涂层之间的结合力，缓解热膨胀失配。可以减少碳/碳复合材料多次高温处理造成的力学性能下降，能够有效保护碳/碳复合材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 si 复合材料 表面 生长 辐射状 纳米 常温 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种C/C‑Si复合材料表面生长辐射状纳米线，其特征在于：沿垂直于Si颗粒晶面方向生长的辐射状纳米线，纳米线的直径为500‑2700nm，长度为22‑88μm。
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