[发明专利]钨前驱体及使用其形成含钨层的方法有效

专利信息
申请号: 201810556182.9 申请日: 2018-05-31
公开(公告)号: CN109134546B 公开(公告)日: 2023-03-10
发明(设计)人: 李沼姈;林载顺;尹至恩;斋藤昭夫;白鸟翼;青木雄太郎 申请(专利权)人: 三星电子株式会社;株式会社ADEKA
主分类号: C07F11/00 分类号: C07F11/00;C23C16/18;C23C16/455
代理公司: 华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 刘培培;黄隶凡
地址: 韩国京畿道水*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明公开一种钨前驱体及一种形成含钨层的方法。所述钨前驱体具有由以下式1表示的结构。在式1中,R1、R2及R3独立地包括包含经取代或未经取代的C1到C5的直链或分支的烷基;R4及R5独立地包括包含C1到C5的直链或分支的烷基、卤素元素、具有C2到C10的二烷基氨基或者包含C3到C12的三烷基硅烷基;n为1或2,且m为0或1。此外,n+m=2(例如,当n为1时,m为1)。当n为2时,m为0且R1及R2各有两个。两个R1彼此独立,且两个R2彼此独立。本公开的钨前驱体适用于沉积且限制及/或防止半导体器件的劣化。
搜索关键词: 前驱 使用 形成 含钨层 方法
【主权项】:
1.一种钨前驱体,其特征在于,具有由式1表示的结构,[式1]其中,在式1中,R1、R2及R3独立地包括包含经取代或未经取代的C1到C5的直链或分支的烷基,R4及R5独立地包括包含经取代或未经取代的C1到C5的直链或分支的烷基、卤素元素、包含经取代或未经取代的C2到C10的二烷基氨基或者包含经取代或未经取代的C3到C12的三烷基硅烷基,n为1或2,m为0或1,n+m=2,且当n为2时,m为0,且R1及R2各有两个,所述两个R1彼此独立,且所述两个R2彼此独立。
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