[发明专利]一种结势垒肖特基二极管及制造方法在审
| 申请号： | 201810556262.4 | 申请日： | 2018-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN108493259A | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 关仕汉;迟晓丽 | 申请（专利权）人： | 淄博汉林半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L23/31;H01L21/329 |
| 代理公司： | 淄博佳和专利代理事务所 37223 | 代理人： | 孙爱华 |
| 地址： | 255086 山东省淄博市高*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种结势垒肖特基二极管及制造方法，属于半导体技术领域。结势垒肖特基芯片包括衬底（5）以及外延层（6），在外延层（6）的表面设置有有源区内结（3）和耐压环（1），在外延层（6）的表面形成阳极金属层（4），在衬底（5）的底面形成阴极金属层（7），其特征在于：芯片切割位置（10）在所述的耐压环（1）的中部，自芯片切割位置（10）切割形成切割面（8），在切割面（8）及上下边缘区有钝化层（14）覆盖。在本结势垒肖特基二极管及制造方法中，提供一种在耐压环中部进行切割，取消了现有技术中耐压环弯曲弧度部位，提高了芯片的耐压性能，同时只采用一道光刻实现芯片的制造，使工艺复杂程度以及生产成本大大降低。 | ||
| 搜索关键词： | 结势垒肖特基二极管 耐压 外延层 芯片切割 芯片 切割面 制造 衬底 切割 半导体技术领域 表面形成阳极 结势垒肖特基 阴极金属层 表面设置 耐压性能 上下边缘 弯曲弧度 钝化层 金属层 光刻 面形 生产成本 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种结势垒肖特基二极管，包括结势垒肖特基芯片以及自芯片上通过引线（11）分别引出的阴极和阳极，结势垒肖特基芯片包括衬底（5）以及衬底（5）上方的外延层（6），在外延层（6）的表面设置有若干有源区内结（3）和位于有源区内结（3）外圈的耐压环（1），有源区内结（3）和耐压环（1）的半导体类型与外延层（6）相反，在外延层（6）的表面形成有与引线（11）连接的阳极金属层（4），在衬底（5）的底面形成与引线（11）连接的阴极金属层（7），其特征在于：芯片切割位置（10）在所述的耐压环（1）的中部，自芯片切割位置（10）切割形成切割面（8），在切割面（8）及切割面（8）的上下边缘区有钝化层（14）覆盖。
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