[发明专利]包括可变电阻存储器件的半导体器件有效
| 申请号： | 201810557716.X | 申请日： | 2018-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN108987566B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 李吉镐;宋胤宗;高宽协 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：衬底，包括存储单元区域和逻辑区域；在存储单元区域上的可变电阻存储器件；在逻辑区域上的逻辑器件；第一水平位线，其在存储单元区域上在衬底的表面上在水平方向上延伸并电连接到可变电阻存储器件；第二水平位线，其在逻辑区域上在衬底的表面上在水平方向上延伸并电连接到逻辑器件；以及垂直位线，其电连接到第一水平位线和第二水平位线并垂直于衬底的表面延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 可变 电阻 存储 器件 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底，包括存储单元区域和逻辑区域；在所述存储单元区域上的可变电阻存储器件；在所述逻辑区域上的逻辑器件；第一水平位线，其在所述存储单元区域上沿所述衬底的表面延伸并电连接到所述可变电阻存储器件；第二水平位线，其在所述逻辑区域上沿所述衬底的所述表面延伸并电连接到所述逻辑器件；以及垂直位线，其电连接到所述第一水平位线和所述第二水平位线并且垂直于所述衬底的所述表面延伸。
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