[发明专利]三维（3D）NAND存储器的选择性的主体复位操作在审
| 申请号： | 201810558690.0 | 申请日： | 2018-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN109215694A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | C·李 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C5/14 | 分类号： | G11C5/14;G11C16/08 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了存储器设备的技术。存储器设备可以包括多个存储器单元和存储器控制器。存储器控制器可以在主体复位操作期间将第一电压电平施加到与多个存储器单元相关联的选定字线。存储器控制器可以在主体复位操作期间将第二电压电平施加到与多个存储器单元相关联的未选定字线。选定字线可以转变到稳定的负柱电位，使得与选定字线相关联的选定存储器单元具有减小的阈值电压不稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 选定字线 存储器控制器 存储器单元 复位操作 存储器设备 电压电平 关联 选定存储器单元 电位 施加 不稳定性 阈值电压 减小 三维 | ||
【主权项】：
1.一种可操作用于对存储器单元进行编程的系统，所述系统包括：多个存储器单元；以及存储器控制器，其包括用于以下操作的逻辑单元：在主体复位操作期间将第一电压电平施加到与所述多个存储器单元相关联的选定字线；以及在所述主体复位操作期间将第二电压电平施加到与所述多个存储器单元相关联的未选定字线，其中所述选定字线转变到稳定的负柱电位，使得与所述选定字线相关联的选定存储器单元具有减小的阈值电压不稳定性。
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