[发明专利]半导体器件及制造方法有效
| 申请号： | 201810559316.2 | 申请日： | 2018-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN110556422B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 裴风丽 | 申请（专利权）人： | 苏州捷芯威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 魏彦 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底；设置于衬底上的半导体层；半导体层上设置有源极、栅极和漏极，其中源极和漏极与半导体层欧姆接触；栅极与漏极之间，及栅极与源极之间设置有介质层，所述介质层位于所述半导体层之上；栅极与半导体层及栅极与介质层之间设置有隔离层。通过在栅极与漏极之间，及栅极与源极之间设置介质层，并在栅极与半导体层，及栅极与介质层之间设置隔离层。通过上述设置的隔离层将在制造半导体器件过程中残留在所述介质层表面的污染物或空隙与所述栅极隔离开，大大增强了栅极能承受的电压和器件承受的击穿电压，提高半导体器件的整体可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：/n衬底；/n设置于所述衬底上的半导体层；/n设置在所述半导体层上的源极、栅极和漏极，其中所述源极和漏极与所述半导体层欧姆接触；/n设置在所述栅极与所述漏极之间，及所述栅极与所述源极之间的介质层，所述介质层位于所述半导体层之上；/n设置在所述栅极与半导体层及所述栅极与介质层之间的隔离层。/n
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