[发明专利]数据写入方法、存储器控制器与存储器存储装置有效

专利信息
申请号: 201810562666.4 申请日: 2012-08-21
公开(公告)号: CN108766495B 公开(公告)日: 2021-10-01
发明(设计)人: 林纬;郑国义;张俊彦 申请(专利权)人: 群联电子股份有限公司
主分类号: G11C16/10 分类号: G11C16/10;G11C16/34
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 王珊珊
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 本公开提出一种数据写入方法、存储器控制器与存储器存储装置。本数据写入方法包括记录此存储器单元的磨损程度值,并且根据此存储器单元的磨损程度值,调整对应此存储器单元的初始写入电压与写入电压脉冲时间的至少其中之一。本数据写入方法还包括使用对应此存储器单元的初始写入电压与写入电压脉冲时间编程此存储器单元,以将数据写入至此存储器单元中。基此,本发明可精确地将数据存储至可复写式非易失性存储器模块中。
搜索关键词: 数据 写入 方法 存储器 控制器 存储 装置
【主权项】:
1.一种数据写入方法,用于将数据写入至一可复写式非易失性存储器模块的一存储器单元,该数据写入方法包括:记录所述存储器单元的磨损程度值;以及根据所述存储器单元的磨损程度值增加,减少一写入电压脉冲时间并增加一写入电压脉冲次數,并且依據所述写入电压脉冲次數,使用对应所述存储器单元的一初始写入电压及所述写入电压脉冲时间对所述存储器单元的一电荷补捉层注入一注入电子量,以将所述数据写入至所述存储器单元中,其中倘若所述存储器单元未被编程至一正确的存储状态时,将所述初始写入电压加上一预设补偿值作为一重复写入电压,并且依据所述重复写入电压再次编程所述存储器单元。
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