[发明专利]一种考虑饱和的开关磁阻电机磁场解析计算方法有效
| 申请号： | 201810563761.6 | 申请日： | 2018-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN108875168B | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 左曙光;胡胜龙;吴双龙;邓文哲;郑玉平;刘明田 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | G06F30/23 | 分类号： | G06F30/23 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 赵继明 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种考虑饱和的开关磁阻电机磁场解析计算方法，包括以下步骤：1)在极坐标系下，分别建立定子齿槽域、转子齿槽域和气隙域的磁矢势方程；2)根据磁场边界条件、磁矢势与磁通密度的关系式，获取气隙域线性磁通密度解析模型；3)在笛卡尔坐标系下，结合铁磁材料的磁导率—磁通密度特性曲线，获取考虑饱和的径向磁通密度解析模型；4)根据饱和径向磁通密度求取过程中的动态磁导率，进一步获取考虑饱和的切向磁通密度解析计算模型。与现有技术相比，本发明实现了开关磁阻电机气隙磁场的快速准确计算，为高性能的电机设计提供理论依据。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 考虑 饱和 开关 磁阻 电机 磁场 解析 计算方法 | ||
【主权项】：
1.一种考虑饱和的开关磁阻电机磁场解析计算方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在极坐标系下，分别建立定子齿槽域、转子齿槽域和气隙域的磁矢势方程；2)根据磁场边界条件、磁矢势与磁通密度的关系式，获取气隙域线性磁通密度解析模型；3)在笛卡尔坐标系下，结合铁磁材料的磁导率—磁通密度特性曲线，获取考虑饱和的径向磁通密度解析模型；4)根据饱和径向磁通密度求取过程中的动态磁导率，进一步获取考虑饱和的切向磁通密度解析计算模型。
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