[发明专利]一种半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201810565371.2 | 申请日： | 2018-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN110556299B | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 牛刚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京睿派知识产权代理事务所(普通合伙) 11597 | 代理人： | 刘锋 |
| 地址： | 300000 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括金属间介电层以及位于所述金属间介电层上的上层金属电极；形成钝化层，所述钝化层覆盖所述上层金属电极和所述金属间介电层；在钝化层表面上相邻的上层金属电极之间的位置刻蚀形成凹槽；形成露出上层金属电极的通孔；在所述通孔中形成金属柱。通过所述方法，在钝化层表面形成凹槽结构，所述凹槽结构延长了金属原子的扩散路径，从而避免封装过程中金属柱中的金属原子扩散导致短路的现象，保证了封装的可靠性，提高了产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供半导体衬底，所述半导体衬底包括金属间介电层以及位于所述金属间介电层上的上层金属电极；/n形成钝化层，所述钝化层覆盖所述上层金属电极和所述金属间介电层；/n在钝化层表面上相邻的上层金属电极之间的位置刻蚀形成第一凹槽；/n形成露出上层金属电极的通孔；/n在所述通孔中形成金属柱。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810565371.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：场效应晶体管的制造方法
- 下一篇：形成半导体装置的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
