[发明专利]一种半导体生产用等离子辅助化学气相沉积装置

摘要

本发明公开了一种半导体生产用等离子辅助化学气相沉积装置，包括转动电机、内壁罩、上极片和出气管，所述转动电机固定安装于底盘的底部中心处，且转动电机的上端固定连接有晶体托架，所述晶体托架的底部边缘处设置有滚珠，所述内壁罩的下端设置于底盘的顶部边缘处，且内壁罩的外侧设置有外壁罩，所述上极片位于内壁罩上，且上极片设置于晶体托架的正上方，所述出气管安装于内壁罩和外壁罩上，所述晶体托架的另一侧设置有输气管，且输气管的近端连接有输气喷头，所述通气管上设置有另一气阀，且通气管的管端连接有气泵。该半导体生产用等离子辅助化学气相沉积装置，加快半导体晶体镀膜效率，减少微粒杂质对镀膜的影响。

主权项

1.一种半导体生产用等离子辅助化学气相沉积装置，包括转动电机(1)、内壁罩(6)、上极片(9)和出气管(10)，其特征在于：所述转动电机(1)固定安装于底盘(2)的底部中心处，且转动电机(1)的上端固定连接有晶体托架(3)，并且晶体托架(3)位于底盘(2)的上方，所述晶体托架(3)的底部边缘处设置有滚珠(4)，并且晶体托架(3)和底盘(2)连接处的边侧安装有下极片(5)，所述内壁罩(6)的下端设置于底盘(2)的顶部边缘处，且内壁罩(6)的外侧设置有外壁罩(7)，并且内壁罩(6)和外壁罩(7)均通过同一固定件(8)固定于底盘(2)上，所述上极片(9)位于内壁罩(6)上，且上极片(9)设置于晶体托架(3)的正上方，所述出气管(10)安装于内壁罩(6)和外壁罩(7)上，且出气管(10)上安装有气阀(11)，并且气阀(11)位于晶体托架(3)的一侧，所述晶体托架(3)的另一侧设置有输气管(12)，且输气管(12)的近端连接有输气喷头(13)，并且输气管(12)的远端安装有通气管(14)，所述通气管(14)上设置有另一气阀(11)，且通气管(14)的管端连接有气泵(15)。