[发明专利]具有鳍和栅极结构的集成电路及其制造方法有效
| 申请号： | 201810569858.8 | 申请日： | 2018-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN109427784B | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 江国诚;蔡腾群;程冠伦;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括形成在衬底上的器件鳍；形成在衬底上并且设置在器件鳍之中的填充鳍；以及形成在器件鳍和填充鳍上的栅极堆叠件。填充鳍包括第一介电材料层和沉积在第一介电材料层上的第二介电材料层。第一和第二介电材料层的组成彼此不同。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 栅极 结构 集成电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：器件鳍，形成在衬底上；填充鳍，形成在所述衬底上并且设置在所述器件鳍之中，所述填充鳍包括第一介电材料层和沉积在所述第一介电材料层上的第二介电材料层，其中，所述第一介电材料层和所述第二介电材料层的组成彼此不同；以及栅极堆叠件，形成在所述器件鳍和所述填充鳍上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
