[发明专利]双向开关电路以及开关装置有效

专利信息
申请号: 201810577368.2 申请日: 2018-06-06
公开(公告)号: CN109004915B 公开(公告)日: 2022-06-28
发明(设计)人: 关健太 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H03H11/28 分类号: H03H11/28;H03K17/10;H03K17/16;H03K17/687
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 朴云龙
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种双向开关电路,具备:FET群,包含串联连接的L级(L为3以上的整数)的FET,控制FET群的一端与另一端之间的双向的信号的导通;以及多个电容元件,FET群包含最靠近一端的第一FET和最靠近另一端的第二FET,多个电容元件具备:第一电容元件组,包含从第一FET起依次与各FET并联连接的M级(M为1以上且小于L的整数)的电容元件;以及第二电容元件组,包含从第二FET起依次与各FET并联连接的N级(N为1以上且L‑M以下的整数)的电容元件,在第一电容元件组包含的电容元件中,越是靠近一端的电容元件,其电容值越大,在第二电容元件组包含的电容元件中,越是靠近另一端的电容元件,其电容值越大。
搜索关键词: 双向 开关电路 以及 开关 装置
【主权项】:
1.一种双向开关电路,具备:FET群,是包含串联连接的L级的FET的FET群,对所述FET群的一端与另一端之间的双向的信号的导通进行控制,其中,L为3以上的整数;以及多个电容元件,所述FET群包含最靠近所述一端的第一FET和最靠近所述另一端的第二FET,所述多个电容元件具备:第一电容元件组,包含从所述第一FET起依次与各FET并联连接的M级的电容元件,其中,M为1以上且小于L的整数;以及第二电容元件组,包含从所述第二FET起依次与各FET并联连接的N级的电容元件,其中,N为1以上且L‑M以下的整数,在所述第一电容元件组包含的电容元件之中,越是靠近所述一端的电容元件,其电容值越大,在所述第二电容元件组包含的电容元件之中,越是靠近所述另一端的电容元件,其电容值越大。
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