[发明专利]方便单层正胶剥离的金属图形加工方法在审
| 申请号： | 201810583861.5 | 申请日： | 2018-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN108803261A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 任永硕;王荣华;王宏州;宋书宽 | 申请（专利权）人： | 大连芯冠科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;G03F7/38 |
| 代理公司： | 大连非凡专利事务所 21220 | 代理人： | 闪红霞 |
| 地址： | 116023 辽宁省大连市高新技术*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开一种方便正胶剥离的金属图形加工方法，有在基片上匀正胶、前烘、曝光、显影、制备金属层及剥离步骤，所述曝光与显影之间对光刻胶表面加热处理0.5~30分钟，使光刻胶表面与底面温差为5~20℃。相对高温的上层光刻胶具有较低的显影液溶解速度，使得显影后胶条表现出如同负胶而产生的上宽下窄的倒梯形结构，金属会在胶边缘的位置断开，剥离溶剂容易穿过裂缝溶解光刻胶，使得胶上金属脱离，实现金属剥离。解决了负胶易残留及双层正胶成本高的问题，可提高剥离后基片表面的洁净度，降低金属图形制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 正胶 金属图形 剥离 显影 光刻胶 负胶 溶解 倒梯形结构 光刻胶表面 后基片表面 剥离溶剂 表面加热 金属剥离 金属脱离 上宽下窄 曝光 洁净度 金属层 显影液 单层 底面 胶条 前烘 断开 制备 温差 加工 裂缝 残留 上层 穿过 金属 制作 表现 | ||
【主权项】：
1.一种方便单层正胶剥离的金属图形加工方法，有在基片上匀正胶、前烘、曝光、显影、制备金属层及剥离步骤，其特征在于：所述曝光与显影之间对光刻胶表面加热处理0.5~30分钟，使光刻胶表面与底面温差为5~20℃。
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