[发明专利]集成电路器件及其存储器阵列有效
| 申请号： | 201810584358.1 | 申请日： | 2018-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN109390405B | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36;H01L27/11 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本文公开了用于改进存储器阵列(诸如静态随机存取存储器阵列)的性能的基于鳍的阱带。示例性集成电路(IC)器件包括设置在第一类型掺杂剂的掺杂区上方的FinFET。FinFET包括掺杂有第一掺杂剂浓度的第一类型掺杂剂的第一鳍结构和第二类型掺杂剂的第一源极/漏极部件。IC器件还包括设置在第一类型掺杂剂的掺杂区上方的基于鳍的阱带。基于鳍的阱带将掺杂区连接至电压。基于鳍的阱带包括掺杂有第二掺杂剂浓度的第一类型掺杂剂的第二鳍结构和第一类型掺杂剂的第二源极/漏极部件。第二掺杂剂浓度比第一掺杂剂浓度大(例如，比第一掺杂剂浓度大至少三倍)。本发明还提供了集成电路器件及其存储器阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 器件 及其 存储器 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路器件，包括：鳍式场效应晶体管，设置在第一类型掺杂剂的掺杂区上方，其中，所述鳍式场效应晶体管包括掺杂有第一掺杂剂浓度的所述第一类型掺杂剂的第一鳍结构和第二类型掺杂剂的第一源极/漏极部件；基于鳍的阱带，设置在所述第一类型掺杂剂的所述掺杂区上方，其中，所述基于鳍的阱带包括掺杂有第二掺杂剂浓度的所述第一类型掺杂剂的第二鳍结构和第一类型掺杂剂的第二源极/漏极部件，其中，所述第二掺杂剂浓度大于所述第一掺杂剂浓度，并且所述基于鳍的阱带将所述掺杂区连接至电压。
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