[发明专利]设备前端模块气体再循环在审
申请号: | 201810585588.X | 申请日: | 2018-06-08 |
公开(公告)号: | CN109037098A | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 布兰登·李·森;彼得·R·瓦塞;斯科特·弗农·王;西尔维亚·罗西奥·阿吉拉尔阿马亚;托德·安东尼·洛佩斯;理查德·霍华德·古尔德;詹姆斯·唐纳德·凯勒;史蒂文·艾德蒙·普拉茨科 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠;邱晓敏 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及设备前端模块气体再循环。公开了用于使气体在设备前端模块(“EFEM”)中再循环的方法和装置,其包括在再循环期间提供气体和在再循环期间控制EFEM中的环境的气体流量、压力和组成的能力。 | ||
搜索关键词: | 再循环 设备前端模块 方法和装置 期间提供 气体流量 前端模块 涉及设备 | ||
【主权项】:
1.一种装置,其包括:设备前端模块(“EFEM”),所述EFEM具有微环境,流体连接到所述微环境的进气室,EFEM气体出口,其位于所述EFEM的底部并与所述微环境流体连接,以及风机单元,所述风机单元被配置成使气体从所述进气室流动以移动通过所述微环境;排放机构,所述排放机构流体地连接到所述EFEM气体出口并且被配置成能在至少多个第一打开配置与多个第二打开配置之间转变,所述多个第二打开配置具有比所述多个第一打开配置的流导小的流导;再循环管道,其具有流体连接到所述进气室的第一端和流体连接到所述微环境的第二端;第一气体供应入口,其流体连接到所述进气室并且被配置成与第一气体供应源流体连接;第二气体供应入口,其流体连接到所述进气室并且被配置成与第二气体供应源流体连接;和控制器,其被配置为:(a)通过使气体从所述微环境流动通过所述再循环管道和所述进气室并返回到所述微环境中而在所述EFEM内引起气体再循环,(b)在(a)期间,使第一气体从所述第一气体供应源以第一流率流入所述进气室,而所述排放机构处于所述第一打开配置中的一个或多个第一打开配置中,(c)在(a)期间和在(b)之后,使所述第一气体从所述第一气体供应源以小于所述第一流率的第二流率流入所述进气室,而所述排放机构处于所述第二打开配置中的一个或多个第二打开配置中,以及(d)使第二气体从所述第二气体供应源流入所述进气室。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造