[发明专利]快闪存储器及其制造方法

摘要

本发明提供一种快闪存储器及其制造方法，所述制造方法，在刻蚀开口中的浮栅层之前，先对所述开口中的浮栅层进行势垒杂质掺杂，且所述掺杂的势垒杂质延伸至所述第一侧墙的部分底部下方的浮栅层中，以将浮栅层划分为势垒掺杂的浮栅层和非势垒掺杂的浮栅层，进而在后续可以形成包括非势垒掺杂的浮栅层和势垒掺杂的浮栅层的浮栅，在所述浮栅中非势垒掺杂的浮栅层和势垒掺杂的浮栅层可以形成自建势垒，即使形成的第二侧墙在浮栅侧壁上的覆盖厚度较薄，所述自建势垒也能用于提高浮栅和后续填充在所述开口中的源线多晶硅之间的隔离性能，因此可以提高快闪存储器的数据保持能力。

主权项

1.一种快闪存储器的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面上依次形成浮栅氧化层、浮栅层以及硬掩膜层；刻蚀所述硬掩膜层以及部分厚度的所述浮栅层，以形成开口；在所述开口的侧壁上形成第一侧墙；对所述开口中的浮栅层进行势垒杂质掺杂，且掺杂的势垒杂质延伸至所述第一侧墙的部分底部下方的浮栅层中，以将所述浮栅层分成势垒掺杂的浮栅层和非势垒掺杂的浮栅层；以所述第一侧墙为掩膜，刻蚀所述开口中的势垒掺杂的浮栅层和浮栅氧化层，直至暴露出下方的半导体衬底表面，所述第一侧墙的底部下方保留有部分所述势垒掺杂的浮栅层；对所述开口底部暴露的半导体衬底进行掺杂，以形成源区；在所述开口中形成第二侧墙，所述第二侧墙完全覆盖所述浮栅氧化层和势垒掺杂的浮栅层的侧壁。