[发明专利]磁传感器和照相机模块在审
申请号: | 201810588349.X | 申请日: | 2018-06-08 |
公开(公告)号: | CN109084811A | 公开(公告)日: | 2018-12-25 |
发明(设计)人: | 广田洋平;宫下勇人;梅原刚;平林启 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | G01D5/245 | 分类号: | G01D5/245 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦;黄浩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一对偏置磁体将偏置磁场施加于磁阻效应元件,偏置磁场具有抵消施加于磁阻效应元件的外部磁场的方向上的分量和与外部磁场垂直的分量。偏置磁体在与外部磁场和偏置磁场两者平行的平面中具有伸长的截面。在与截面平行并且偏置磁体和磁阻效应元件投影所在的投影平面中,偏置磁体包括元件相对侧,该元件相对侧与磁阻效应元件相对并且沿长边方向延伸。偏置磁体在与长边方向垂直的方向上被磁化。元件相对侧比其他侧长。 | ||
搜索关键词: | 偏置磁体 磁阻效应元件 偏置磁场 外部磁场 长边 平行 磁化 施加 照相机模块 磁传感器 方向垂直 方向延伸 投影平面 垂直的 伸长 侧比 投影 抵消 | ||
【主权项】:
1.一种磁传感器,其特征在于,相对于外部磁体移动并且检测由所述外部磁体产生的外部磁场的变化,所述磁传感器包括:磁阻效应元件,根据所述外部磁场的变化产生磁阻变化;和一对偏置磁体,设置在所述磁阻效应元件附近,并且将偏置磁场施加于所述磁阻效应元件,所述偏置磁场具有抵消施加于所述磁阻效应元件的外部磁场的方向上的分量和与所述外部磁场垂直的分量,所述偏置磁体在与所述外部磁场和所述偏置磁场两者平行的平面中具有伸长的截面,在与所述伸长的截面平行并且所述偏置磁体和所述磁阻效应元件投影所在的投影平面中,所述偏置磁体包括元件相对侧,所述元件相对侧与所述磁阻效应元件相对并且沿长边方向延伸,所述偏置磁体在与所述长边方向垂直的方向上被磁化,并且所述元件相对侧比其它侧长。
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