[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201810589371.6 | 申请日： | 2018-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN108550563A | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 陈宏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，通过在所述半导体层中形成第一通孔，并在第一通孔中填充第一介质层；在刻蚀所述金属间介质层形成所述第二通孔时，所述第一通孔中的第一介质层作为刻蚀所述金属间介质层的着落层，即当刻蚀所述金属间介质层形成所述第二通孔时，刻蚀将会落到所述第一通孔中的第一介质层上，第一介质层与所述半导体层相比更难被刻蚀且第一介质层与所述半导体层可以达到很高的刻蚀选择比，使得形成的第二通孔底部变得平坦，进而提高了工艺平台所生产芯片的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 通孔 介质层 刻蚀 金属间介质层 半导体层 半导体结构 制备 刻蚀选择比 工艺平台 填充 平坦 芯片 生产 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底上形成半导体层；在所述半导体层中形成第一通孔，在所述第一通孔中填充第一介质层；在所述半导体层上形成金属间介质层；在所述金属间介质层中形成第二通孔，所述第二通孔位置与所述第一通孔位置相对应，所述第二通孔的孔径宽度小于所述第一通孔的孔径宽度；以及在所述第二通孔中填充第二介质层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810589371.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
