[发明专利]一种半导体结构及其形成方法、以及SRAM

摘要

一种半导体结构及其形成方法、以及SRAM，所述方法包括：形成基底，基底包括衬底以及位于衬底上多个鳍部，衬底包括用于形成第一上拉晶体管的第一PMOS区以及用于形成第二上拉晶体管的第二PMOS区，位于第一PMOS区衬底上的鳍部为第一鳍部，位于第二PMOS区衬底上的鳍部为第二鳍部，位于第一PMOS区和第二PMOS区交界处衬底上的鳍部为第三鳍部；形成横跨第一鳍部的第一栅极结构以及横跨第二鳍部的第二栅极结构；在第一栅极结构两侧的第一鳍部内形成第一掺杂外延层，在第二栅极结构两侧的第二鳍部内形成第二掺杂外延层。本发明通过在第一鳍部与第二鳍部之间形成第三鳍部，避免了第一掺杂外延层和第二掺杂外延层发生桥接的问题。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n形成基底，所述基底包括衬底以及位于所述衬底上多个分立的鳍部，所述衬底包括用于形成第一上拉晶体管的第一PMOS区、以及与所述第一PMOS区相邻且用于形成第二上拉晶体管的第二PMOS区，位于所述第一PMOS区衬底上的鳍部为第一鳍部，位于所述第二PMOS区衬底上的鳍部为第二鳍部，位于所述第一PMOS区和第二PMOS区交界处衬底上的鳍部为第三鳍部；/n形成横跨所述第一鳍部的第一栅极结构以及横跨所述第二鳍部的第二栅极结构，所述第一栅极结构覆盖所述第一鳍部的部分顶部表面和部分侧壁表面，所述第二栅极结构覆盖所述第二鳍部的部分顶部表面和部分侧壁表面；/n在所述第一栅极结构两侧的第一鳍部内形成第一掺杂外延层，在所述第二栅极结构两侧的第二鳍部内形成第二掺杂外延层。/n