[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该方法包括提供一衬底，在衬底上形成分栅快闪存储器件单元和逻辑器件单元，在所述分栅快闪存储器件单元的侧墙外侧面形成有第一间隔氧化层，采用同一光罩和同一离子在同一道离子注入工艺中同时对所述分栅快闪存储器件单元第一间隔氧化层与位线之间的衬底和所述逻辑器件单元的侧墙与隔离结构之间的衬底进行离子注入，在所述分栅快闪存储器件单元的第一间隔氧化层与位线之间的衬底中形成有重掺杂的N型漏极区，在所述逻辑器件单元的侧墙与隔离结构之间的衬底中形成有重掺杂的N型源/漏极区。本发明能够克服横向穿通效应，以及降低制造成本和提高生产效率。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底上分别形成分栅快闪存储器件单元和逻辑器件单元；在所述分栅快闪存储器件单元表面形成有氧化层；保留覆盖所述分栅快闪存储器件单元中位于其侧墙外侧面的氧化层，去除其它区域的氧化层，以使所述分栅快闪存储器件单元的侧墙外侧面形成有第一间隔氧化层，所述第一间隔氧化层与所述分栅快闪存储器件单元的位线之间留有缝隙；采用同一光罩和同一离子在同一道离子注入工艺中同时对所述分栅快闪存储器件单元第一间隔氧化层与位线之间的衬底和所述逻辑器件单元的侧墙与隔离结构之间的衬底进行离子注入，在所述分栅快闪存储器件单元的第一间隔氧化层与位线之间的衬底中形成有重掺杂的N型漏极区，在所述逻辑器件单元的侧墙与隔离结构之间的衬底中形成有重掺杂的N型源/漏极区。