[发明专利]闪存侧墙的形成方法

摘要

本发明提供了一种闪存侧墙的形成方法，所述闪存侧墙的形成方法分三次刻蚀形成闪存器件的第二侧墙；形成的第二侧墙的高度小于现有技术中形成的第二侧墙的高度。第二侧墙高度减小，使得闪存字线顶部与第二侧墙的高度差增大，从而使闪存字线顶部与第二侧墙的高度差达到工艺标准。同时与现有技术相比增加一刻蚀步骤，使得本方法中对所述第二介质层过度刻蚀时间间与现有技术中对所述第二介质层过度刻蚀时间基本一致，避免了由于过度刻蚀时间增加污染反应腔体，导致后续形成的半导体结构出现异常的问题，提高了器件的性能。

主权项

1.一种闪存侧墙的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上依次形成有第一栅极层、介电层、第二栅极层以及掩膜层；所述掩膜层中设有第一开口，所述第一开口暴露出所述第二栅极层的表面，在所述第一开口的侧壁形成有第一侧墙；以所述第一侧墙为掩膜，刻蚀所述第二栅极层和所述介电层形成第二开口；在所述第二开口的底部和侧壁以及所述掩膜层的表面依次形成第一介质层和第二介质层；对所述第二介质层进行第一次刻蚀；所述第一次刻蚀暴露出所述掩膜层表面上的所述第一介质层和所述第二开口底部表面上的所述第一介质层；对所述第二介质层进行第二次刻蚀；所述第二次刻蚀时对所述第二介质层的选择性大于所述第一次刻蚀时对所述第二介质层的选择性；以及对所述第二介质层进行第三次刻蚀，在所述第一介质层表面形成第二侧墙；所述第三次刻蚀时，对所述第二介质层的选择性大于所述第二次刻蚀时对所述第二介质层的选择性。