[发明专利]一种钴基块体非晶合金及其制备方法有效
申请号: | 201810593726.9 | 申请日: | 2018-06-11 |
公开(公告)号: | CN108504966B | 公开(公告)日: | 2020-03-20 |
发明(设计)人: | 郭胜锋;赖利民;何然干;丁凯露 | 申请(专利权)人: | 西南大学 |
主分类号: | C22C45/04 | 分类号: | C22C45/04;C22C1/03 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 400715*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: |
本发明涉及了非晶合金领域内一种钴基块体非晶合金及其制备方法。其块体非晶合金成分为Co |
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搜索关键词: | 一种 块体 合金 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种钴基块体非晶合金,其特征在于,所述的钴基块体非晶合金成分Cox‑Moy‑Bz体系中,x、y、z为原子百分比,其中,59≤x≤67,17≤y≤28,11≤z≤19;所述的钴基块体非晶合金由单一的非晶相所组成,其临界非晶形成直径为1~2mm;所述的钴基块体非晶合金的断裂强度为4.8GPa~5.4GPa,塑性形变量为4%;所述的钴基块体非晶合金在3.5%NaCl溶液中的腐蚀电流密度为3.94μA/cm2~7.55μA/cm2;所述的钴基块体非晶合金的玻璃转变温度为818~847K。
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