[发明专利]半导体结构有效
| 申请号： | 201810605636.7 | 申请日： | 2018-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN110600465B | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 李建兴;黄绍璋;林志轩 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王天尧;周晓飞 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构，包括：一基板，具有一第一掺杂型态；一金属层，形成于该基板的表面；一栅极，形成于该基板上；一漏极，形成于该基板中，位于该栅极的一侧，并与该金属层相邻；一源极，形成于该基板中，位于该栅极的另一侧；以及一第一掺杂区，形成于该基板中，包围该金属层与该漏极，该第一掺杂区具有一第二掺杂型态，且该第二掺杂型态与该第一掺杂型态不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：/n一基板，具有一第一掺杂型态；/n一金属层，形成于该基板的表面；/n一栅极，形成于该基板上；/n一漏极，形成于该基板中，位于该栅极的一侧，并与该金属层相邻；/n一源极，形成于该基板中，位于该栅极的另一侧；以及/n一第一掺杂区，形成于该基板中，包围该金属层与该漏极，该第一掺杂区具有一第二掺杂型态，且该第二掺杂型态与该第一掺杂型态不同。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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