[发明专利]主动元件基板及其制法

摘要

本发明公开一种主动元件基板及其制法，该主动元件基板包括基板、第一主动元件以及第二主动元件。第一主动元件包括第一栅极、结晶金属氧化物层、第一绝缘层、第一源极与第一漏极。结晶金属氧化物层位于第一栅极上。结晶金属氧化物层与第一栅极之间夹有第一绝缘层。以穿透式电子显微镜的选区绕射模式观察从结晶金属氧化物的上表面至结晶金属氧化物层的下表面的范围，可以观察到结晶相的绕射图案。第二主动元件包括第二栅极、硅半导体层、第二源极与第二漏极。

主权项

1.一种主动元件基板，其特征在于，包括：第一主动元件，位于一基板上，且该第一主动元件包括：第一栅极；结晶金属氧化物层，位于该第一栅极上，且与该第一栅极之间夹有第一绝缘层，其中以穿透式电子显微镜的选区绕射模式观察从该结晶金属氧化物的上表面至该结晶金属氧化物层的下表面的范围，可以观察到结晶相的绕射图案；以及第一源极及第一漏极，与该结晶金属氧化物层电连接；第二主动元件，位于该基板上，且该第二主动元件包括：第二栅极；硅半导体层，与该第二栅极重叠；以及第二源极及第二漏极，与该硅半导体层电连接。