[发明专利]红外焦平面探测器的减薄方法及探测器在审
| 申请号： | 201810614526.7 | 申请日： | 2018-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN108899274A | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 肖钰;韦书领;程雨;曹凌霞 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/463;H01L31/18 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 于金平 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种红外焦平面探测器的减薄方法及探测器，所述减薄方法，包括：采用减薄装置按预定厚度多次对红外焦平面探测器进行减薄加工；其中，每次对所述红外焦平面探测器进行减薄加工后，将所述红外焦平面探测器从所述减薄装置上取下，静置预设时间。根据本发明提出的减薄方法，逐渐减小红外焦平面探测器的芯片和硅电路相互拉伸的作用力，有效解决了现有技术中对红外焦平面探测器进行背面减薄时经常裂片的问题，适用于超大尺寸红外焦平面探测器。 | ||
| 搜索关键词： | 红外焦平面探测器 减薄 减薄装置 探测器 背面减薄 有效解决 逐渐减小 硅电路 拉伸 裂片 取下 预设 加工 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种红外焦平面探测器的减薄方法，其特征在于，包括以下步骤：采用减薄装置按预定厚度多次对红外焦平面探测器进行减薄加工；其中，每次对所述红外焦平面探测器进行减薄加工后，将所述红外焦平面探测器从所述减薄装置上取下，静置预设时间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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