[发明专利]光刻胶层重做的方法以及栅极的形成方法在审
| 申请号： | 201810615532.4 | 申请日： | 2018-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN108682621A | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 潘冬 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种光刻胶层重做的方法以及栅极的形成方法。该光刻胶层重做的方法包括：提供一半导体衬底，半导体衬底上形成有至少一层初始硬掩模层，在初始硬掩模层上形成有初始光刻胶层；清除初始光刻胶层以及初始硬掩模层；以及在半导体衬底上形成至少一层返工硬掩模层，并在返工硬掩模层上形成图形化的返工光刻胶层。本发明通过在清除初始光刻胶层的同时清除初始硬掩模层，再形成返工光刻胶层和至少一层返工硬掩模层，以提高重做后光刻胶层与硬掩模层之间的粘附性，避免了图形化的光刻胶层在重做后出现的光刻线条倾斜或剥落的问题，从而提高产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻胶层 硬掩模层 返工 重做 衬底 半导体 图形化 粘附性 剥落 光刻 良率 线条 | ||
【主权项】：
1.一种光刻胶层重做的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有至少一层初始硬掩模层，在所述初始硬掩模层上形成有初始光刻胶层；清除所述初始光刻胶层以及所述初始硬掩模层；以及在所述半导体衬底上形成至少一层返工硬掩模层，并在所述返工硬掩模层上形成图形化的返工光刻胶层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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