[发明专利]静电吸附方法有效
| 申请号： | 201810618819.2 | 申请日： | 2018-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN109148349B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 平井克典;佐佐木康晴 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;徐飞跃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种静电吸附方法，其包括：第一步骤，在将被处理体载置在用于处理被处理体的腔室内的载置台上之前，向上述腔室内导入气体，进行施加高频功率来生成等离子体的处理或者提高上述腔室内的压力的处理；第二步骤，在上述第一步骤之后，对设置在上述载置台上的静电吸盘施加极性与在吸附被处理体时施加的直流电压正负相反的直流电压；第三步骤，在上述第二步骤之后，进行停止施加上述高频功率而将等离子体熄灭的处理和降低上述腔室内的压力的处理中的至少任一处理；和第四步骤，在上述第三步骤之后，停止施加上述直流电压。由此，无需提高直流电压的功率，就能够提高静电吸盘的吸附力。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 吸附 方法 | ||
【主权项】：
1.一种静电吸附方法，其特征在于，包括：第一步骤，在将被处理体载置在用于处理被处理体的腔室内的载置台上之前，向所述腔室内导入气体，进行施加高频功率来生成等离子体的处理或者提高所述腔室内的压力的处理；第二步骤，在所述第一步骤之后，对设置在所述载置台上的静电吸盘施加极性与在吸附被处理体时施加的直流电压正负相反的直流电压；第三步骤，在所述第二步骤之后，进行停止施加所述高频功率而将等离子体熄灭的处理和降低所述腔室内的压力的处理中的至少任一处理；和第四步骤，在所述第三步骤之后，停止施加所述直流电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
