[发明专利]柔性晶体管制作方法及柔性晶体管在审
| 申请号： | 201810619732.7 | 申请日： | 2018-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN108807186A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 李倩;刘静 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L29/43;H01L29/786;H01L51/40;H01L51/30;H01L51/05 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹;吴欢燕 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种柔性晶体管制作方法及柔性晶体管，该方法包括在柔性基底上制作间隔的液态金属源极、液态金属漏极，以及用于电连接液态金属源极和液态金属漏极的半导体层；在半导体层上制作介电层，并在介电层上制作液态金属栅极。本发明实施例提供的柔性晶体管制作方法及柔性晶体管采用柔性基底以及在柔性基底的基础上利用液态金属制作液态金属源极、液态金属漏极和液态金属栅极，从而得到具有柔性的晶体管，用于具有可弯曲性的电子产品的大规模集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 液态金属 晶体管 制作 柔性基底 漏极 源极 半导体层 介电层 大规模集成电路 可弯曲性 电连接 电子产品 | ||
【主权项】：
1.一种柔性晶体管制作方法，其特征在于，包括：在柔性基底上制作间隔的液态金属源极、液态金属漏极，以及用于电连接所述液态金属源极和所述液态金属漏极的半导体层；在所述半导体层上制作介电层，并在所述介电层上制作液态金属栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
