[发明专利]静电吸盘、衬底处理装置以及制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201810620351.0 | 申请日： | 2018-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN109216251B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 金珉成;朴明修;吕东玧;成德镛;李秀浩;全允珖 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘培培;黄隶凡 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种静电吸盘、一种衬底处理装置以及一种制造半导体器件的方法。所述静电吸盘包括：吸盘基座、位于所述吸盘基座上的绝缘板、包括位于所述绝缘板中的单元加热器的第一加热器以及被配置成控制所述单元加热器的加热器控制器。所述加热器控制器获得所述单元加热器的电阻且将所述电阻与所述阈值进行比较以控制向所述单元加热器提供的加热电力。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 吸盘 衬底 处理 装置 以及 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种静电吸盘，其特征在于，包括：吸盘基座；绝缘板，位于所述吸盘基座上；第一加热器，包括位于所述绝缘板中的单元加热器；以及加热器控制器，被配置成通过基于所述单元加热器的电阻与阈值之间的比较提供加热电力来控制所述单元加热器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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