[发明专利]实现30微米或更低间距EMIB的新方法在审
| 申请号： | 201810630483.1 | 申请日： | 2018-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN109285826A | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 冯红霞;D·D·徐;S·C·李;M·L·廷吉;M·焦;C·K·C·谭 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开的实施例公开了用于实现30微米或更低间距EMIB的封装组件的技术和配置。一种封装衬底包括：包括位于其中的电布线特征和表面层的衬底主体以及位于所述表面层上的分别包括第一间距和第二间距的多个第一和第二接触点，其中，所述多个第一接触点和所述多个第二接触点是通往所述电布线特征中的相应电布线特征的连续柱。一种封装组件包括封装衬底。一种方法包括：在封装组件中形成第一导电过孔，其中，所述第一导电过孔包括通往封装衬底中的电布线特征的衬底导电过孔和通往桥衬底的桥表面布线特征的桥导电过孔；在封装衬底上形成第一表面层和第二表面层；以及穿过所述第一表面层和第二表面层中的每者形成通往所述桥导电过孔的第二导电过孔。 | ||
| 搜索关键词： | 导电过孔 电布线 封装组件 接触点 第二表面 第一表面 表面层 衬底 布线特征 衬底主体 连续柱 穿过 配置 | ||
【主权项】：
1.一种封装衬底，包括：包括位于其中的电布线特征和由电介质材料构成的表面层的衬底主体，以及位于所述表面层上的包括第一间距的多个第一接触点和位于所述表面层上的包括小于所述第一间距的第二间距的多个第二接触点，所述多个第一接触点和所述多个第二接触点耦合至所述电布线特征中的相应电布线特征，其中，所述多个第一接触点和所述多个第二接触点是通往所述电特征中的所述相应电特征的连续柱。
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