[发明专利]存储装置及其测试读写方法有效
| 申请号： | 201810630967.6 | 申请日： | 2018-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN110619903B | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 中冈裕司 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4091 | 分类号： | G11C11/4091;G11C29/56 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 张晓霞;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储装置及其测试读写方法。预充电压控制电路根据预充参考电压产生第一预充电压以及第二预充电压。感测放大电路耦接于位线与互补位线之间，用以感测耦接于位线的存储单元的数据，并且耦接预充电压控制电路，以使位线与互补位线分别接收第一预充电压与第二预充电压，其中，在预充操作中，第一预充电压与第二预充电压的电压电平相同，在预充操作之后的测试写入感测期间与测试读取感测期间，预充电压控制电路提供给位线与互补位线的第一预充电压以及第二预充电压的电压电平不同。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 及其 测试 读写 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储装置，其特征在于，包括：/n预充电压控制电路，根据预充参考电压产生第一预充电压以及第二预充电压；以及/n感测放大电路，耦接于位线与互补位线之间，用以感测耦接于所述位线的存储单元的数据，以及所述感测放大电路耦接所述预充电压控制电路，以使所述位线与所述互补位线分别接收所述第一预充电压与所述第二预充电压，/n其中，在预充操作中，所述第一预充电压与所述第二预充电压的电压电平相同，在所述预充操作之后的测试写入感测期间与测试读取感测期间，所述预充电压控制电路提供给所述位线与所述互补位线的所述第一预充电压以及所述第二预充电压的电压电平不同。/n
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