[发明专利]具有直埋P型区的延伸漏极NMOS晶体管

摘要

本文中描述一种由绝缘体上半导体(SOI)晶片形成的N型延伸漏极晶体管。所述晶体管具有直埋P型区，所述直埋P型区通过在所述晶体管的漂移区正下方的位置处将P型掺杂剂选择性注入于所述晶片的半导体层中来形成。所述晶体管还包括位于P阱区中的源极以及漏极。所述直埋P型区与所述P阱区电气接触。所述N型漂移区、所述源极以及所述漏极同样位于由介电隔离包围的所述半导体层的一部分中。位于所述半导体层的所述部分下方的直埋介电层将所述半导体层的所述部分与位于所述直埋介电层下方的半导体衬底电隔离。

主权项

1.一种制造晶体管的方法，其特征在于，包括：在晶片的半导体层中形成晶体管的源极区和漏极区，所述半导体层位于所述晶片的直埋介电层上方，所述直埋介电层位于所述晶片的半导体衬底上方，其中所述半导体层的第一厚度为2微米或更小，其中所述源极区和所述漏极区各自具有N型净掺杂分布，其中所述源极区形成于所述半导体层的P型阱区中；在所述半导体层中形成具有N型净掺杂分布的所述晶体管的N型漂移区，其中在所述晶体管的导电状态期间，在所述漏极区与所述源极区之间形成通过所述N型漂移区的电流路径；形成介电隔离结构，所述N型漂移区包括位于所述介电隔离结构正下方的一部分；在所述半导体层上方形成所述晶体管的栅极结构；将P型掺杂剂离子选择性地注入到所述晶片中从而在所述半导体层中形成直埋P型区，所述直埋P型区具有P型净掺杂分布，其中所述直埋P型区位于所述晶体管的所述N型漂移区的至少一部分的正下方，所述直埋P型区与所述P型阱区电气接触；其中所述漏极区、所述源极区以及所述N型漂移区位于所述晶片的第一区域中，其中所述第一区域的所述半导体层由介电隔离横向地包围；其中所述直埋介电层将所述第一区域的所述半导体层与所述半导体衬底电隔离。