[发明专利]整流桥器件封装工艺在审
| 申请号： | 201810644383.4 | 申请日： | 2018-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN108807189A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 姚磊 | 申请（专利权）人： | 无锡光磊电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/56;H01L23/13;H01L23/498 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 张欢勇 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种整流桥器件封装工艺，包括以下步骤，在绝缘板上制备导电层；去除多余导电层；将整流二极管固定在导电层上；将厚度与整流二极管相同的金属块固定在导电层上；在整流二极管和金属块之间填充绝缘包封材料，控制绝缘包封材料的高度略低于整流二极管和金属块；进行光刻，露出整流二极管的顶部电极和金属块的顶部。本发明实施方式的整流桥器件封装工艺可以将整流桥器件的封装厚度控制在0.5～0.6毫米之间并能够进行批量生产，实现了整流桥器件的进一步精密化；同时，本实施方式工序简单，提高了整流桥器件的加工效率。 | ||
| 搜索关键词： | 整流桥器件 整流二极管 导电层 金属块 封装工艺 绝缘包封材料 顶部电极 厚度控制 加工效率 绝缘板 光刻 封装 去除 填充 制备 精密 生产 | ||
【主权项】：
1.一种整流桥器件封装工艺，其特征在于，包括以下步骤：(1)在绝缘板上制备导电层；(2)去除多余导电层；(3)将整流二极管固定在所述导电层上；(4)将厚度与所述整流二极管相同的金属块固定在所述导电层上；(5)在所述整流二极管和所述金属块之间填充绝缘包封材料，控制所述绝缘包封材料的高度略低于所述整流二极管和所述金属块；(6)进行光刻，露出所述整流二极管的顶部电极和所述金属块的顶部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
