[发明专利]一种MOS晶体管的接点电阻的计测方法有效
| 申请号： | 201810652921.4 | 申请日： | 2018-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN109900965B | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 林诗婷;范恭鸣;萧弘祥 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/14 | 分类号： | G01R27/14 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种MOS晶体管的接点电阻的计测方法，包括下列步骤：提供一MOS晶体管，该MOS晶体管包括：一基底、一栅极、一源极区和一漏极区，以及电连接到该源极区的一源极接点和电连接到该漏极区的一漏极接点；获得一源极接点电阻与一漏极接点电阻之间的一电阻差；获得该源极接点电阻与该漏极接点电阻的一电阻和；根据该电阻和与该电阻差，计算该源极接点电阻与该漏极接点电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 晶体管 接点 电阻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MOS晶体管的接点电阻的计测方法，包括：提供一MOS晶体管，包括：一基底；一栅极；一源极区和一漏极区；一源极接点，电连接到该源极区；以及一漏极接点，电连接到该漏极区；获得一源极接点电阻与一漏极接点电阻之间的一电阻差；获得该源极接点电阻与该漏极接点电阻的一电阻和；以及根据该电阻和与该电阻差，计算该源极接点电阻和该漏极接点电阻。
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