[发明专利]一种测定马来酸氟伏沙明中各降解杂质的方法

摘要

本发明公开了一种测定马来酸氟伏沙明中各杂质的方法，该方法可定向破坏出杂质Ⅱ、杂质Ⅲ和杂质Ⅳ，且干扰杂质小，不影响各杂质的定位，解决了USP41‑NF36中杂质Ⅲ易受干扰，杂质Ⅳ缺乏准确性的问题。即在一般实验条件下，可获得含杂质Ⅱ、杂质Ⅲ和杂质Ⅳ用于HPLC系统中杂质的定位，同时，由于杂质Ⅴ位于杂质Ⅱ和主成分之间，本发明方法能够控制杂质Ⅱ和主成分之间的分离度不小于4.0，确保杂质Ⅱ、杂质Ⅴ和马来酸氟伏沙明峰之间的分离度能符合要求。本发明方法针对性强、准确度高，同时又避免使用昂贵且难以购买的杂质对照品，使得方法易于普及推广，具有很好的应用价值。

主权项

1.一种测定马来酸氟伏沙明中各杂质的方法，包括以下步骤：1)取马来酸氟伏沙明和马来酸标准品，用溶剂溶解，再加入碱溶液，密封，95～100℃加热0.8～2h，冷却，加入酸溶液，95～100℃加热120～180s，得破坏溶液；取待测马来酸氟伏沙明样品，用流动相配制成供试品溶液；取供试品溶液稀释作为对照品溶液；2)将上述破坏溶液、供试品溶液、对照品溶液分别进行液相色谱检测；3)结果分析：如果供试品溶液的色谱图中出现与破坏溶液中杂质Ⅱ、Ⅲ或Ⅳ色谱行为一致的杂质峰，则说明待测样品中存在相应杂质Ⅱ、Ⅲ或Ⅳ；若需进一步计算待测样品中杂质Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ、Ⅴ的含量，则按下式进行计算：其中f为各杂质Ⅰ～Ⅴ相对于马来酸氟伏沙明的校正因子；其中杂质A为杂质Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ或Ⅴ；所述杂质Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ、Ⅴ的结构式分别为及其对映异构体、