[发明专利]一种并联微LED阵列及其制作方法在审
申请号: | 201810658226.9 | 申请日: | 2018-06-25 |
公开(公告)号: | CN108598104A | 公开(公告)日: | 2018-09-28 |
发明(设计)人: | 王君君;陈志涛;王巧;刘宁炀;刘久澄;张康 | 申请(专利权)人: | 广东省半导体产业技术研究院 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62;H01L33/00 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 杨志廷 |
地址: | 510000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明实施例提出一种并联微LED阵列及其制作方法,涉及LED技术领域。该并联微LED阵列包括外延层、多个电极以及基板,基板、多个电极以及外延层逐层连接,多个电极包括多个P电极与多个N电极,外延层包括P型层与N型层,多个P电极共用P型层,多个N电极共N型层,以形成多个并联的LED。本发明实施例提供的并联微LED阵列及其制作方法具有阵列之间的连线简单、制作工艺更加简单且寄生电容更小优点。 | ||
搜索关键词: | 并联 电极 外延层 基板 制作 寄生电容 制作工艺 连线 | ||
【主权项】:
1.一种并联微LED阵列,其特征在于,所述并联微LED阵列包括外延层、多个电极以及基板,所述基板、所述多个电极以及所述外延层逐层连接,所述多个电极包括多个P电极与多个N电极,所述外延层包括P型层与N型层,所述多个P电极共用P型层,所述多个N电极共N型层,以形成多个并联的LED。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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