[发明专利]一种采用埋入式位线的晶体管结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种采用埋入式位线的晶体管结构及其制造方法，该晶体管结构包括衬底、隔离结构、漏极沉入凹槽、第一字线沟槽、第二字线沟槽、埋入式字线、位线沟槽及埋入式位线。本发明的制造方法通过形成漏极沉入凹槽改变晶体管的结构，使得晶体管具有埋入式的位线，晶体管中形成的漏极沉入凹槽增加了源极及漏极的节点接触的面积，并有利于字线的蚀刻，减少沟道漏电。本发明的采用埋入式位线的晶体管结构可以应用在不同形状的有源区，并可以应用在不同的电学电路。

主权项

1.一种采用埋入式位线的晶体管结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底中设有隔离结构，所述隔离结构在所述衬底中界定出多个有源区；形成漏极沉入凹槽于所述有源区中，并填充绝缘材料于所述漏极沉入凹槽中，所述漏极沉入凹槽交迭于所述有源区中段，且由所述衬底的顶面，所述漏极沉入凹槽的底面相对较浅于所述隔离结构的底面；形成第一字线沟槽与第二字线沟槽于所述衬底中，并形成埋入式字线在所述第一字线沟槽及所述第二字线沟槽中，由所述衬底的顶面，所述第一字线沟槽与所述第二字线沟槽的底面皆相对较浅于所述隔离结构的底面并相对较深于所述漏极沉入凹槽底面，所述第一字线沟槽与所述第二字线沟槽皆穿过所述有源区，藉由所述第一字线沟槽及所述第二字线沟槽间隔，所述有源区包含第一源极区域、漏极区域与第二源极区域，所述漏极区域位于所述第一源极区域与所述第二源极区域之间；形成位线沟槽于所述衬底中，并形成埋入式位线于所述位线沟槽中，所述位线沟槽穿过所述漏极沉入凹槽，且所述位线沟槽穿过所述漏极沉入凹槽的部分暴露出所述漏极区域顶面，所述埋入式位线的金属顶面低于所述衬底的顶面，所述衬底的顶面包含所述第一源极区域的上表面与所述第二源极区域的上表面，且所述衬底的顶面在同一有源区中且所述第一源极区域与所述第二源极区域之间的区域是绝缘掩埋。