[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201810670754.6 | 申请日： | 2018-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN110649166A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 朱佩;向超宇;王雄志;张滔;李乐 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 44268 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管包括层叠设置的阳极、量子点发光层和阴极，其中，还包括设置于阳极和量子点发光层之间的空穴注入层，所述空穴注入层的材料包括氮化的金属掺杂氧化镍。本发明通过金属掺杂改善氧化镍薄膜的传输性能，并提高其空穴载流子的传输效率，从而提升量子点发光二极管的发光效率；进一步地，金属掺杂氧化镍薄膜经过氮化处理后，使得薄膜内部引入了一定量的氮原子，从而增加了薄膜内部的孔隙率，内部多孔结构可使得氧化镍薄膜的折射率下降，减少了空穴注入层到阳极的出光损失，从而提高量子点发光二极管的透光率。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点 发光二极管 空穴注入层 氧化镍薄膜 阳极 金属掺杂 发光层 薄膜 阴极 空穴载流子 层叠设置 传输效率 传输性能 氮化处理 多孔结构 发光效率 氮化 氮原子 光损失 孔隙率 透光率 氧化镍 折射率 制备 引入 | ||
【主权项】：
1.一种量子点发光二极管，包括层叠设置的阳极、量子点发光层和阴极，其特征在于，还包括设置于阳极和量子点发光层之间的空穴注入层，所述空穴注入层的材料包括氮化的金属掺杂氧化镍。/n
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H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
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