[发明专利]一种基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201810674977.X | 申请日： | 2018-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN109003882B | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 陈方;简锦诚;史秀景;郑帅;田汝强;郝光叶;陈宜铭;周刘飞 | 申请（专利权）人： | 南京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静 |
| 地址： | 210033 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板及其制造方法，所述基板包括基底、位于基底上的第一金属层、位于第一金属层上的第一绝缘层、位于第一绝缘层上的第二金属层、位于第二金属层上的第二绝缘层、位于第二绝缘层上的第三绝缘层，所述第三绝缘层通过两次蚀刻工艺完成，第一次蚀刻后，第三绝缘膜层还具有一定厚度的保护膜层；第二次蚀刻后，移除所述保护膜层，形成所述第三绝缘层。本发明通过使用第三绝缘层作为掩膜版，减少一道掩膜版，缩减了一道过孔的黄光制程，可以进一步减少光刻次数，优化制程，从而节省成本、提高节拍时间，进一步增强竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基板的制造方法，包括如下步骤：形成第一金属层；形成覆盖第一金属层的第一绝缘层；形成位于第一绝缘层上的第二金属层；形成覆盖第二金属层的第二绝缘层；形成位于第二绝缘层上的第三绝缘层；其特征在于：所述第三绝缘层通过两次蚀刻工艺完成，第一次蚀刻后，第三绝缘膜层还具有一定厚度的保护膜层；第二次蚀刻后，移除所述保护膜层，形成所述第三绝缘层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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