[发明专利]COA型阵列基板及其制作方法在审
| 申请号： | 201810679386.1 | 申请日： | 2018-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN108873519A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 李兰艳 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种COA型阵列基板及其制作方法。该COA型阵列基板包括：衬底基板、设于所述衬底基板上的TFT层、设于所述TFT层上的抗反射层以及设于所述抗反射层上的彩色光阻层，该抗反射层通过在彩色光阻层的光刻胶材料的曝光时产生相移光分量减弱反射光，能有效增加彩色光阻层的光刻胶材料的曝光能量范围和焦距，降低衬底基板及TFT层所构成的基体的几何结构差异对彩色光阻层关键尺寸均匀度的影响，缓解基体的构型导致彩色光阻层厚度不同而引起的摆动曲线效应和凹缺效应，从而提高彩色光阻层关键尺寸的均一性以及彩色光阻层的分辨率，并且该抗反射层还能直接代替现有技术中形成于TFT层与彩色光阻层之间的钝化层，简化制程，节省成本。 | ||
| 搜索关键词： | 彩色光阻层 抗反射层 衬底基板 阵列基板 光刻胶材料 关键尺寸均匀度 几何结构 曝光能量 曲线效应 钝化层 反射光 光分量 均一性 焦距 分辨率 摆动 凹缺 构型 相移 制程 制作 曝光 缓解 | ||
【主权项】：
1.一种COA型阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的TFT层(20)、设于所述TFT层(20)上的抗反射层(30)以及设于所述抗反射层(30)上的彩色光阻层(40)。
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