[发明专利]一种光伏芯片的透光处理方法在审
| 申请号： | 201810679387.6 | 申请日： | 2018-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN108878587A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 高军召;林健 | 申请（专利权）人： | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/054 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种光伏芯片的透光处理方法，涉及光伏芯片技术领域，为提高去除发电膜层组的稳定性，降低成本而发明。所述光伏芯片的透光处理方法包括：在待处理的光伏芯片的发电膜层组上形成具有镂空区域的刻蚀保护层；其中，所述待处理的光伏芯片包括透明衬底以及设置在所述透明衬底上的发电膜层组；去除所述发电膜层组中与所述镂空区域对应的部分；去除所述刻蚀保护层，形成可透光的光伏芯片。本发明将光伏芯片的透光处理方法用于制备可透光的光伏芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 光伏 芯片 透光 发电膜 去除 刻蚀保护层 镂空区域 可透光 衬底 芯片技术领域 透明 制备 | ||
【主权项】：
1.一种光伏芯片的透光处理方法，其特征在于，所述透光处理方法包括：在待处理的光伏芯片的发电膜层组上形成具有镂空区域的刻蚀保护层；其中，所述待处理的光伏芯片包括透明衬底以及设置在所述透明衬底上的发电膜层组；去除所述发电膜层组中与所述镂空区域对应的部分，以使所述透明衬底中与所述镂空区域对应的部分露出；去除所述刻蚀保护层，形成可透光的光伏芯片。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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