[发明专利]处理基板边缘缺陷的等离子体系统及方法有效
| 申请号： | 201810685888.5 | 申请日： | 2018-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110581049B | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 徐瑞美;翁志强;蔡陈德;李祐升 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种处理基板边缘缺陷的等离子体系统及方法，等离子体系统包括一等离子体源与一承载装置；等离子体源包含至少一等离子体产生单元；承载装置用以输送至少一基板相对于等离子体源移动，以进出一等离子体作用区；基板具有待处理区域，等离子体源是于等离子体作用区内对于待处理区域提供一等离子体束，且等离子体束的行进方向实质上平行于基板的表面；移动基板进入等离子体作用区，通过等离子体源提供待处理区域一具温度梯度(Thermal gradient)的热源以及一反应性化学成份，用以对于基板的边缘进行热处理以及改质。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 边缘 缺陷 等离子体 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种处理基板边缘缺陷的等离子体系统，包含：/n一等离子体源，包含至少一等离子体产生单元；/n一承载装置，用以输送至少一基板相对于该等离子体源移动，以进出一等离子体作用区；/n其中，该基板具有待处理区域，该等离子体源是于该等离子体作用区内对于该待处理区域提供一等离子体束，且该等离子体束的行进方向实质上平行于该基板的表面。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于财团法人工业技术研究院，未经财团法人工业技术研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810685888.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
