[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201810688284.6 | 申请日： | 2018-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN109585554B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 高琬贻;柯忠祁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了包括具有多个间隔件层的间隔件部件的半导体器件结构。在一个实例中，半导体器件包括：衬底上的有源区，有源区包括源极/漏极区域；位于有源区上方的栅极结构，源极/漏极区域靠近栅极结构；间隔件部件，该间隔件部件具有沿着栅极结构的侧壁的第一部分并且具有沿着源极/漏极区域的第二部分，其中，间隔件部件的第一部分包括沿着栅极结构的侧壁的块状间隔件层，其中，间隔件部件的第二部分包括块状间隔件层和处理的密封间隔件层，处理的密封间隔件层沿着源极/漏极区域设置并且位于块状间隔件层和源极/漏极区域之间；以及位于间隔件部件上的接触蚀刻停止层。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底上的有源区，所述有源区包括源极/漏极区域；栅极结构，位于所述有源区上方，所述源极/漏极区域靠近所述栅极结构；间隔件部件，具有沿着所述栅极结构的侧壁的第一部分并且具有沿着所述源极/漏极区域的第二部分，其中，所述间隔件部件的第一部分包括沿着所述栅极结构的侧壁的块状间隔件层，其中，所述间隔件部件的第二部分包括所述块状间隔件层和处理的密封间隔件层，所述处理的密封间隔件层沿着所述源极/漏极区域设置并且位于所述块状间隔件层和所述源极/漏极区域之间；以及接触蚀刻停止层，位于所述间隔件部件上。
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