[发明专利]在电子芯片中的半导体区域的制作

摘要

本申请涉及在电子芯片中的半导体区域的制作。可以使用一种方法来制造通过隔离沟槽分离的第一半导体区域和第二半导体区域。半导体衬底用第一氮化硅层覆盖。第一区域用可以相对于氮化硅被选择性蚀刻的保护层覆盖。该结构用第二氮化硅层覆盖。沟槽被蚀刻通过第二氮化硅层和第一氮化硅层并用填充氧化硅填充到位于保护层之上的水平。选择性地去除第二氮化硅层和位于第二区域上的第一氮化硅层的部分，并且去除保护层。通过湿法蚀刻选择性地蚀刻填充氧化物，从而在第二区域周围的填充氧化物的表面上产生凹坑。

主权项

1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：用第一氮化硅层覆盖半导体衬底的第一区域和第二区域；用能够相对于氮化硅被选择性地蚀刻的保护层覆盖所述半导体衬底的所述第一区域；在所述保护层上方形成第二氮化硅层；蚀刻穿过所述第二氮化硅层和所述第一氮化硅层、并进入所述半导体衬底中的沟槽；用填充氧化物填充所述沟槽至所述保护层的上表面之上的水平；选择性地去除被布置在所述第二区域上方的所述第二氮化硅层和所述第一氮化硅层；去除所述保护层；通过湿法蚀刻选择性地蚀刻所述填充氧化物，使得凹坑形成在所述第二区域周围的所述填充氧化物的表面上；和选择性地去除被布置在所述第一区域上方的所述第一氮化硅层。