[发明专利]具有用于减少串扰的屏蔽结构的半导体器件有效
| 申请号： | 201810693005.5 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN109216324B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 黄诗雅;蔡仲豪;王垂堂;余振华;张智援 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 方法包括将管芯嵌入在模制材料内；在模制材料和管芯上方形成第一介电层；在第一介电层的远离管芯的上表面上方形成导线；以及在第一介电层和导线上方形成第二介电层。该方法还包括形成穿过第一介电层或第二介电层延伸的第一沟槽开口，其中，第一沟槽开口的纵向轴线与导线的纵向轴线平行，并且其中，没有导电部件在第一沟槽开口的底部处暴露；以及用导电材料填充第一沟槽开口以形成第一接地沟槽。本发明的实施例还涉及具有用于减少串扰的屏蔽结构的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 用于 减少 屏蔽 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：管芯；模制材料，位于所述管芯周围；第一介电层，位于所述管芯和所述模制材料上方，所述第一介电层具有面向所述管芯的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；导线，沿着所述第一介电层的第二表面；第二介电层，位于所述第一介电层和所述导线上方，所述第二介电层具有面向所述管芯的第三表面和与所述第三表面相对的第四表面；第一导电结构，至少与所述导线的第一部分横向隔开并且至少与所述导线的第一部分平行，其中，所述第一导电结构被配置为电接地或连接至电源；以及第二导电结构，至少与所述导线的第一部分横向隔开并且至少与所述导线的第一部分平行，其中，所述导线的第一部分位于所述第一导电结构和所述第二导电结构之间，其中，所述第一导电结构的第一部分和所述第二导电结构的第一部分位于所述第一表面和所述第二表面之间或位于所述第三表面和所述第四表面之间，并且其中，所述第一导电结构的第一部分的纵向轴线和所述第二导电结构的第一部分的纵向轴线平行于所述第一介电层的第一表面。
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