[发明专利]电阻式存储器及写入方法有效
| 申请号： | 201810694390.5 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN110660432B | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 王炳琨;廖绍憬;吴健民;何家骅;陈达;赵鹤轩;林小峰 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王天尧;李秀芸 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本说明书公开一种电阻式存储器及写入方法，其中，所述电阻式存储器包括一存储阵列、一存储电路、一控制电路、一电压产生电路以及一存取电路。存储阵列具有多个区块。每一区块具有多个存储单元。存储电路储存多个计数值。每一计数值表示一相对应区块执行一写入操作的次数。当一外部指令为一写入指令时，控制电路根据该等计数值产生一控制信号。电压产生电路根据该控制信号提供一操作电压组。存取电路根据操作电压组存取存储阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储器 写入 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电阻式存储器，其特征在于，包括：/n一存储阵列，具有多个区块，每一区块具有多个存储单元；/n一存储电路，储存多个计数值，其中每一计数值表示一相对应区块执行一写入操作的次数；/n一控制电路，当一外部指令为一写入指令时，根据该多个计数值产生一控制信号；/n一电压产生电路，根据该控制信号提供一操作电压组；以及/n一存取电路，根据该操作电压组存取该存储阵列。/n
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